Karta techniczna TDS.pdf
B-808-1W-9,0-N
Specyfikacja:
Długość fali | 808 nm |
Moc wyjściowa | 1 W |
Obudowa | Ø9,0 mm |
Typ połączeń wewnętrznych | N |
• Główne cechy:
1. Wysoka niezawodność.
2. Wysoka jakość wykonania.
3. Maksymalna temperatura pracy 40°C.
4. Wbudowana dioda monitorująca.
• Zastosowania:
1. Źródło pompujące w laserach na ciele stałym.
2. Urządzenia medyczne.
Długość fali diody laserowej | 808 [nm] |
Dioda laserowa B-808-500-9,0-N
808nm, 500mW, obudowa 9.0mm, plus na obudowie
Producent:
Kod: B-808-500-9,0-N
Dostępna ilość: 38 (szt.)
120,75 zł netto / szt.
148,52 zł brutto / szt.
Dioda laserowa A-650-10-5,6-N
650nm, 10mW, obudowa 5.6mm, plus na obudowie
Producent: SEMICON
Kod: A-650-10-5,6-N
Dostępna ilość: 137 (szt.)
22,25 zł netto / szt.
27,37 zł brutto / szt.
Dioda laserowa A-660-50-5,6-N
660nm, 50mW, obudowa 5.6mm, plus na obudowie
Producent:
Kod: A-660-50-5,6-N
Dostępna ilość: 48 (szt.)
168,00 zł netto / szt.
206,64 zł brutto / szt.